K9LCG08U1M vs K9HQGY8S5M So sánh
So sánh chi tiết song song của K9LCG08U1M bằng Samsung Electronics và K9HQGY8S5M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage
K9LCG08U1M ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K9HQGY8S5M - 3D V-NAND Flash, FBGA-316 | Samsung | SSD Storage
K9HQGY8S5M ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9LCG08U1M | K9HQGY8S5M |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Flash | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | [DATA_NEEDED: total bit density] |
| Tổ chức | x8 I/O | — |
| Giao diện | Asynchronous multiplexed NAND I/O | NAND (ONFI/Toggle-style asynchronous interface) - exact timing mode [DATA_NEEDED: interface timing mode] |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| Hộp | BGA | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Trạng thái RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Product Type | — | 3D V-NAND Flash Memory (stacked, client NAND) |
| Package Type | — | 316-ball Fine Pitch BGA (FBGA-316) |
| Die Configuration | — | 4 x K9ADGD8S0A V-NAND dies (per TechInsights package analysis) |
| NAND Technology | — | 32-layer pMLC 3D V-NAND (per Samsung 850 Pro 256 GB analysis) |
| Memory Class | — | Non-volatile NAND flash |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: P/E endurance rating] |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Original Application | — | Samsung SSD 850 Pro solid-state drive |