K9XXG08U0M vs K9XXG08UXM So sánh
So sánh chi tiết song song của K9XXG08U0M bằng Samsung Electronics và K9XXG08UXM bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9XXG08U0M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Obsolete | Obsolete |
| Kiểu bộ nhớ | NAND Flash | — |
| Density | 8 G-bit | — |
| Tổ chức | 1G x 8 bit | — |
| Spare Area | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) | — |
| Điện áp cung cấp | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) | 2.7 V to 3.6 V |
| Giao diện | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) | — |
| Page Read Time | 20 us | — |
| Hộp | 48-pin TSOP-I | 48-pin TSOP |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Access Interface Standard | Samsung legacy NAND command set | — |
| Bad Block Management | Factory bad block marking (host-managed ECC required) | — |
| Cell Type | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) | SLC (single-level cell) NAND |
| ECC Requirement | External ECC by host controller | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Page Size | — | (2K + 64) Byte |
| Block Size | — | (256K + 8K) Byte |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |