M58BW16FB4ZA3F vs M58BW32FB5ZA3T So sánh

So sánh chi tiết song song của M58BW16FB4ZA3F bằng Micron Technology và M58BW32FB5ZA3T bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M58BW16FB4ZA3F M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F ✓ Hoạt động
Micron Technology
M58BW32FB5ZA3T M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M58BW16FB4ZA3F M58BW32FB5ZA3T
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash, parallel burst FLASH - NOR Memory IC
Kích thước bộ nhớ 16 Mbit (1M x16 / 512K x32) 32 Mbit
Access Time 45 ns 55 ns
Điện áp cung cấp 3.3 V nominal 3.3 V (single supply)
Giao diện Parallel, synchronous burst Parallel
Tổ chức 1M words x16, boot block x32 (Boot Block, Burst)
Hộp 80-LBGA (10 x 12 mm) 80-LBGA (10 x 12 mm)
Number of Terminals 80 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C (automotive grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Application Grade Automotive —
Technology Boot Block NOR Flash —
Read Mode Asynchronous and synchronous burst read —
Trạng thái RoHS Compliant (3F lead-free suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lifecycle Active / legacy parallel NOR —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Burst Mode — Yes (synchronous burst read)
Block Architecture — Boot Block
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá