MD7IC2755GNR1 vs MD7IC2050NR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MD7IC2755GNR1 bằng NXP Semiconductors và MD7IC2050NR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MD7IC2050NR1 - 10W W-CDMA RF LDMOS Amplifier | NXP 2.1GHz
MD7IC2050NR1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MD7IC2755GNR1 | MD7IC2050NR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Number | MD7IC2755GNR1 | MD7IC2050NR1 |
| Description | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | — |
| Frequency Range | 2500 MHz to 2700 MHz | — |
| RF Type | WiMAX / Cellular base-station | — |
| Supply Voltage (Vdd) | 28 V (range 26 V to 32 V) | 28 V |
| Supply Current (Idq) | 275 mA | — |
| Gain | 25 dB | — |
| Average Output Power | 10 W (CW, P1dB typical 30 W) | — |
| Drain Voltage Rating | 65 V transient | — |
| Hộp / Vỏ | TO-270-14 Variant, Gull Wing | TO-270-14 Variant, Flat Leads (TO-270 WB-14) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Doherty (production-tested symmetrical) | — |
| VSWR Ruggedness | 10:1 stable | — |
| Spurious (all spurs) | Below -60 dBc from 100 mW to 10 W CW | — |
| MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Packaging | Tape & Reel | Tape & Reel |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: current RoHS status] |
| Device Type | — | RF LDMOS Integrated Power Amplifier |
| RF Type / Modulation | — | W-CDMA / 3GPP |
| Frequency Range (datasheet typical) | — | 1.88 GHz to 2.1 GHz |
| Frequency Range (broadband match) | — | 1.75 GHz to 2.05 GHz |
| Output Power (Average, W-CDMA) | — | 10 W |
| Supply Voltage Range | — | 26 V to 32 V |
| Quiescent Supply Current | — | 230 mA |
| Power Gain (Gp) | — | 30.5 dB at 2.14 GHz |
| Architecture | — | Two-stage, on-chip matched |
| Maximum Input Power (CW) | — | 28 dBm |