RTAX2000S-1CQ352V vs RTAX2000D-1CQ352V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000S-1CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000D-1CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000S-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000S-1CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000D-1CQ352V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000S-1CQ352V | RTAX2000D-1CQ352V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 gates | — |
| Logic Cells | 32,256 cells | 29,568 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 21,504 CLBs | — |
| Process Technology | Digital CMOS | — |
| Speed Grade | -1 | -1 |
| Family | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs | — |
| Hộp | CQ352 ceramic QFP, 352 pins | CQFP-352 (CQ352), ceramic |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Live at power-up, single-chip | Live at power-up, single-chip, no external configuration device |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Core Voltage | [DATA_NEEDED: core voltage] | — |
| I/O Voltage | [DATA_NEEDED: I/O voltage] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Radiation Tolerance (TID) | [DATA_NEEDED: TID rating] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Equivalent Gates | — | 2,000,000 |
| CLBs | — | 19,712 |
| Core Supply Voltage | — | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Technology | — | Digital CMOS, antifuse (nonvolatile) |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose | — | 200 krad (Si) |
| Screening | — | RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test) |