RTAX250S-1LG624V vs RTAX2000S-1LG624V So sánh

So sánh chi tiết song song của RTAX250S-1LG624V bằng Microchip Technology và RTAX2000S-1LG624V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Microchip Technology
RTAX250S-1LG624V RTAX250S-1LG624V - 250K-Gate Rad-Tolerant FPGA 1.5V | Microchip

RTAX250S-1LG624V - 250K-Gate Rad-Tolerant FPGA 1.5V | Microchip

RTAX250S-1LG624V ✓ Hoạt động
Microchip Technology
RTAX2000S-1LG624V RTAX2000S-1LG624V - 2M-Gate Rad-Tolerant Antifuse FPGA | Microchip

RTAX2000S-1LG624V - 2M-Gate Rad-Tolerant Antifuse FPGA | Microchip

RTAX2000S-1LG624V ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số RTAX250S-1LG624V RTAX2000S-1LG624V
Thương hiệu Microchip Technology Microchip Technology
Danh mục FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Family RTAX-S Radiation-Tolerant FPGA —
Equivalent Gate Count 250000 gates —
Configurable Logic Blocks (CLBs) 2816 21,504
Logic Cells 4224 —
I/Os 248 —
Core Supply Voltage 1.5 V nominal [DATA_NEEDED: core supply voltage]
Speed Grade -1 -1
Hộp CGA624 (LG624), 624-column ceramic column grid array CG624, 624-pin ceramic column grid array
Package Suffix V (leaded column finish) —
Nhiệt độ hoạt động -55C to +125C —
Technology CMOS, antifuse programmable —
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (RTAX-S family, SEU-tolerant) [DATA_NEEDED: TID and SEU LET figures] —
Configuration Live at power-up, single chip, no boot PROM Single-chip, live at power-up (no boot device required)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status - ceramic space-grade package typically exempt] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Trạng thái vòng đời Active —
Equivalent System Gates — 2,000,000 gates
User I/Os (maximum, family) — Up to 684
Embedded Memory — Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC protection
Total Ionizing Dose (TID), functional — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose (TID), parametric — 200 krad (Si)
SEU Immunity — Less than 1E-10 errors per bit-day
Programming Technology — One-time programmable antifuse, nonvolatile
Process Technology — Digital CMOS
Package Temperature Suffix — V (space/military screening variant)
Family Lineage — RTAX-S/SL, based on commercial Axcelerator family
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá