UCC21550BDWR vs UCC21550ADWR So sánh
So sánh chi tiết song song của UCC21550BDWR bằng Texas Instruments và UCC21550ADWR bằng Texas Instruments. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Texas Instruments
UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments
UCC21550BDWR ✓ Hoạt độngTexas Instruments
UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments
UCC21550ADWR ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | UCC21550BDWR | UCC21550ADWR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Cấu hình đầu ra | Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) | — |
| Peak Source Current | 4 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 6 A | 6 A |
| Isolation Type | Capacitive coupling, reinforced isolation | Reinforced, capacitive coupling |
| Isolation Voltage | 5000 Vrms | 5000 Vrms |
| CMTI (Common-Mode Transient Immunity) | > 125 V/ns | — |
| VDD Output Supply Range | Up to 25 V | — |
| UVLO Threshold | 8 V (VDD UVLO) | — |
| Programmable Dead Time | Yes | — |
| Disable Function | Yes | Yes (DISABLE pin) |
| Junction Temperature Range | -40 C to +150 C | -40C to +150C |
| Hộp | 16-SOIC (DW) | 16-SOIC (DW) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Driven Devices | Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT | Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Number of Channels | — | 2 (dual) |
| Configuration | — | Dual low-side, dual high-side, or half-bridge |
| CMTI | — | > 125 V/ns |
| Max VDD Output Supply | — | 25 V |
| UVLO Threshold Option | — | 5 V |
| Dead Time | — | Programmable |