AS4C512M16D4-75BIN vs AS4C512M16D4A-62BIN 比較

詳細並排比較 AS4C512M16D4-75BIN 由 Alliance Memory 與 AS4C512M16D4A-62BIN 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 啟用中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 啟用中

規格比較

參數 AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4A-62BIN
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
記憶體容量 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
供應電壓 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
封裝 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (7.5x13mm)
工作溫度 -40°C to +95°C -40°C to +95°C
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
介面 POD POD (Pseudo Open Drain)
資料速率 2666 Mbps 3200 Mbps per pin
腳位數 96 —
RoHS 狀態 Compliant —
功能特色 Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
組織 — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
CAS 延遲 — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

資料表與資源

瀏覽所有產品 建立 BOM 索取報價