MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK 比較
詳細並排比較 MT41K256M16TW-107:P 由 Micron Technology 與 NT5CC256M16ER-EK 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 資料速率 | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| CAS 延遲 | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| 封裝 | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| 介面 | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |