1EBN1001AEXUMA1 vs TLE9180D32QKXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EBN1001AEXUMA1 بواسطة Infineon و TLE9180D32QKXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EBN1001AEXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) —
عدد المخارج 2 (separate source and sink paths) —
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
العلبة PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C (automotive grade) -40 C to +150 C junction
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Number of Channels — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Driver Configuration — Half-Bridge, 3-phase
Supply Voltage Range (VS) — 5.5 V to 72 V
Maximum Pin Voltage — 90 V (bridge, motor and supply pins)
Gate Drive Current — 1 A source/sink
Battery Support — 12 V, 24 V and 48 V systems
الواجهة — SPI (16-bit) with diagnostics
Current Sense Amplifier — Integrated, adjustable gain
Functional Safety — ASIL-C capable (per ISO 26262)
Package Dimensions — 10 mm x 10 mm x 1.4 mm
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر