1EDB8275FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDB8275FXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDB8275FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
العلبة PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (industrial) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر