1EDB8275FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1EDB8275FXUMA1 bằng Infineon và 2ED2183S06FXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
2ED2183S06FXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED2183S06FXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1EDB8275FXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Chức năng | Single-channel isolated gate driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Isolation Type | Magnetic coupling (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 3000 Vrms | — |
| Peak Source Current (typ.) | 5.4 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.8 A | — |
| CMTI (min.) | 300 V/ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | — |
| Output-side Supply Voltage | Up to 40 V (per datasheet family) | — |
| Input-side Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC input range] | — |
| UVLO | Yes (input and output side) | — |
| Miller Clamp | Available in family | — |
| Hộp | PG-DSO-8 (150 mil wide-body) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C (industrial) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Số lượng đầu ra | — | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Configuration | — | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| Thời gian tăng lên | — | 15 ns |
| Thời gian giảm dần | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | VCC and VBS |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -40 C to +125 C |
| Cấp MSL | — | 2 |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |
| Technology | — | SOI (Silicon-On-Insulator) |