27C512-10 vs 27C512-20 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-10 بواسطة Texas Instruments و 27C512-20 بواسطة Fujitsu. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل 27C512-10 27C512-20
العلامة التجارية Texas Instruments Fujitsu
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي Obsolete
حجم الذاكرة 512 Kbit —
التنظيم 64K x 8 64K x 8
نوع الذاكرة OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: VPP voltage]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
الواجهة Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
العلبة 28-pin DIP CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS unknown —
Technology — CMOS
Density — 512 Kbit (524,288 bits)
Maximum Access Time — 200 ns
Outputs — 3-state
Operation — Asynchronous
Word Size — 8 bit
Address Count — 65,536 words

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر