27C512-10 vs 27C512-20 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 27C512-10 द्वारा Texas Instruments और 27C512-20 द्वारा Fujitsu. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर 27C512-10 27C512-20
ब्रांड Texas Instruments Fujitsu
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद Obsolete
मेमोरी आकार 512 Kbit —
संगठन 64K x 8 64K x 8
मेमोरी प्रकार OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance 5 V
Programming Voltage (VPP) +12.5 V [DATA_NEEDED: VPP voltage]
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
इंटरफ़ेस Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
पैकेज 28-pin DIP CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) Ultraviolet light
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS स्थिति unknown —
Technology — CMOS
Density — 512 Kbit (524,288 bits)
Maximum Access Time — 200 ns
Outputs — 3-state
Operation — Asynchronous
Word Size — 8 bit
Address Count — 65,536 words

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध