2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2103S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL6014ACG2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2103S06FXUMA1 | 2EDL6014ACG2DXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Configuration | Non-Inverting | — |
| Technology | High-Voltage Level Shift (SOI) | — |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | — |
| Driven Device Type | IGBT, N-Channel MOSFET | — |
| High-Side Offset Voltage (Max) | 650 V | — |
| Bootstrap Voltage (Max) | 675 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V / 5 V | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| العلبة | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) | 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Channels | — | 2 (high-side + low-side) |
| تكوين الخرج | — | Non-Inverting |
| High-Side Voltage Rating | — | 120 V |
| Source Output Current | — | 4 A |
| Sink Output Current | — | 6 A |
| Supply Voltage (VDD) | — | 2.97 V to 5.5 V |
| Rise Time (typ.) | — | 4.2 ns |
| Fall Time (typ.) | — | 3.8 ns |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +125 C |
| Packing Method | — | Tape & Reel |
| Isolation Type | — | Isolated (level-shifted floating high-side) |
| Technology Family | — | EiceDRIVER 2EDL |