2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2103S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2EDL6014ACG2DXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2103S06FXUMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting —
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS Durumu Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels — 2 (high-side + low-side)
Çıkış Konfigürasyonu — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Isolation Type — Isolated (level-shifted floating high-side)
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin