2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2103S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2103S06FXUMA1 2EDL8034G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V 120 V
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
العلبة PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
عدد المخارج — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر