2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2103S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2EDL8034G4CXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2103S06FXUMA1 2EDL8034G4CXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V 120 V
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Çıkış Sayısı — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin