2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2ED2103S06FXUMA1 بذریعہ Infineon اور 2EDL8034G4CXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ فعال
Infineon
2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 - 120V 4A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8034G4CXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2ED2103S06FXUMA1 2EDL8034G4CXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Half-Bridge Gate Driver —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V 120 V
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
پیکیج PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +125C —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
آؤٹ پٹس کی تعداد — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں