2ED21064S06JXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 1EBN1001AEXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21064S06JXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
البنية الطوبولوجية High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 °C to +125 °C (automotive grade)
العلبة PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
عدد المخارج — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر