2ED21064S06JXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED21064S06JXUMA1 מאת Infineon ו 1EBN1001AEXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED21064S06JXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
טופולוגיה High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 °C to +125 °C (automotive grade)
מארז PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
מספר יציאות — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר