2ED2106S06FXUMA1 vs IR2114SSPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon و IR2114SSPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2106S06FXUMA1 IR2114SSPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-bridge gate driver
Source Current (typ.) 0.29 A 2 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 100 ns 50 ns
عدد المخارج 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 —
عدد الدبابيس 8 —
العلبة PG-DSO-8-69 (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
نوع الخرج Half-Bridge, Non-Inverting —
البنية الطوبولوجية — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر