2ED2106S06FXUMA1 vs IR2114SSPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon ו IR2114SSPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2106S06FXUMA1 IR2114SSPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-bridge gate driver
Source Current (typ.) 0.29 A 2 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 3 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 100 ns 50 ns
מספר יציאות 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 —
מספר פינים 8 —
מארז PG-DSO-8-69 (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
סוג פלט Half-Bridge, Non-Inverting —
טופולוגיה — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר