2EDL5013U2DXTMA1 vs IR2109SPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon و IR2109SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDL5013U2DXTMA1 | IR2109SPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Configuration | High-Side, Low-Side (Half-Bridge) | Half-Bridge |
| Input Logic | Non-Inverting | — |
| Number of Channels | 2 | — |
| Peak Source Current | 3 A | — |
| Peak Sink Current | 3 A | — |
| تكوين الخرج | Non-Inverting | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Voltage Rating | 120 V max | — |
| Rise Time (typ.) | 4.4 ns | — |
| Fall Time (typ.) | 3.5 ns | — |
| Miller Clamp | 7 A active Miller clamp | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | Integrated |
| UVLO | VCC and VBS under-voltage lockout | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة | PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) | SOIC-8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Drivers | — | 2 (high-side + low-side) |
| High-Side Voltage Tolerance | — | 600 V |
| Source Current (typical) | — | 0.2 A |
| Sink Current (typical) | — | 0.35 A |
| Turn-On Propagation Delay | — | 150 ns |
| Turn-Off Propagation Delay | — | 150 ns |
| زمن الصعود | — | 200 ns |
| زمن السقوط | — | 50 ns |
| Quiescent VCC Current | — | 1 mA |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS / TTL |
| Undervoltage Lockout | — | Yes (VCC) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 C to +150 C |