2EDL5013U2DXTMA1 vs IR2109SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL5013U2DXTMA1 توسط Infineon و IR2109SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL5013U2DXTMA1 IR2109SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
پیکربندی خروجی Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 10 V to 20 V
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) SOIC-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
زمان صعود — 200 ns
زمان افت — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
دمای اتصال کاری — -40 C to +150 C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت