2EDL5013U2DXTMA1 vs IR2109SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2EDL5013U2DXTMA1 द्वारा Infineon और IR2109SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2EDL5013U2DXTMA1 IR2109SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 10 V to 20 V
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) SOIC-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
राइज़ टाइम — 200 ns
फॉल टाइम — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -40 C to +150 C

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध