2EP101RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP101RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EP110RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EP101RXTMA1 | 2EP110RXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Voltage Regulators |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Full-Bridge Transformer Driver PMIC | Full-Bridge Transformer Driver PMIC |
| البنية الطوبولوجية | Full-bridge (H-bridge) with external transformer | Full-bridge (two internal half-bridges) |
| Supply Voltage Range | 5 V to 20 V | — |
| Maximum Output Power | 5 W | — |
| Switching Frequency Option 1 | 50 kHz | — |
| Switching Frequency Option 2 | 65 kHz | — |
| Duty Cycle Option 1 | 12% | — |
| Duty Cycle Option 2 | 17% | — |
| عدد المخارج | 1 (full-bridge differential primary) | — |
| العلبة | PG-TSSOP-8 | PG-TSSOP-8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +125 °C | — |
| Primary Application | Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (XT suffix) | — |
| Input Voltage (VCC) | — | 20 V nominal |
| Output Power | — | 5 W |
| تردد التبديل | — | 50 kHz / 65 kHz (selectable) |
| Target Loads | — | IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| Protection Features | — | Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start |
| تكوين الخرج | — | Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) |
| مستوى MSL | — | MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |