2EP101RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EP101RXTMA1 מאת Infineon ו 2EP110RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 2EP101RXTMA1 | 2EP110RXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Voltage Regulators |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Full-Bridge Transformer Driver PMIC | Full-Bridge Transformer Driver PMIC |
| טופולוגיה | Full-bridge (H-bridge) with external transformer | Full-bridge (two internal half-bridges) |
| Supply Voltage Range | 5 V to 20 V | — |
| Maximum Output Power | 5 W | — |
| Switching Frequency Option 1 | 50 kHz | — |
| Switching Frequency Option 2 | 65 kHz | — |
| Duty Cycle Option 1 | 12% | — |
| Duty Cycle Option 2 | 17% | — |
| מספר יציאות | 1 (full-bridge differential primary) | — |
| מארז | PG-TSSOP-8 | PG-TSSOP-8 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 °C to +125 °C | — |
| Primary Application | Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (XT suffix) | — |
| Input Voltage (VCC) | — | 20 V nominal |
| Output Power | — | 5 W |
| תדר מיתוג | — | 50 kHz / 65 kHz (selectable) |
| Target Loads | — | IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |
| Protection Features | — | Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start |
| תצורת מוצא | — | Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) |
| רמת MSL | — | MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |