AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4A-62BCN بواسطة Alliance Memory و H5AN8G6NDJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 1600 MHz (3200 Mbps) | — |
| زمن الوصول CAS | 18 ns | — |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| الواجهة | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |