AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4A-62BCN bằng Alliance Memory và H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G6NDJR-UHC
Thương hiệu Alliance Memory SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 1600 MHz (3200 Mbps) —
Latency CAS 18 ns —
Hộp 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Giao diện POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Trạng thái RoHS Compliant —
Packaging Tray —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá