AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4A-62BIN بواسطة Alliance Memory و AS4C512M16D4-75BCNTR بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ نشط
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
العلامة التجارية Alliance Memory Alliance Memory
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $7.90
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit —
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
معدل البيانات 3200 Mbps per pin 2666 Mbps per pin
جهد التغذية 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
درجة حرارة التشغيل -40°C to +95°C —
العلبة 96-FBGA (7.5x13mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
الواجهة POD (Pseudo Open Drain) Parallel
زمن الوصول CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
نطاق درجة حرارة التشغيل — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر