AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4A-62BIN द्वारा Alliance Memory और AS4C512M16D4-75BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ सक्रियAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4A-62BIN | AS4C512M16D4-75BCNTR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $7.90 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps per pin | 2666 Mbps per pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) |
| इंटरफ़ेस | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 22 cycles) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Internal Bank Count | — | 16 banks |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0C to +95C (case, commercial) |
| Process Technology | — | 20nm-class DRAM |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |