AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci AS4C512M16D4A-62BIN disebabkan oleh Alliance Memory dan AS4C512M16D4-75BCNTR disebabkan oleh Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
Merek Alliance Memory Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $7.90
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Saiz Ingatan 8 Gbit —
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
Kadar Data 3200 Mbps per pin 2666 Mbps per pin
Tegangan Pemberi Arus 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
Suhu Operasi -40°C to +95°C —
Kemasan 96-FBGA (7.5x13mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Antaramuka POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Latensi CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Gambaran Suhu Operasi — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga