AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של AS4C512M16D4A-62BIN מאת Alliance Memory ו AS4C512M16D4-75BCNTR מאת Alliance Memory. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ פעיל
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
מותג Alliance Memory Alliance Memory
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $7.90
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
גודל זיכרון 8 Gbit —
ארגון 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
קצב נתונים 3200 Mbps per pin 2666 Mbps per pin
מתח אספקה 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
טמפרטורת פעולה -40°C to +95°C —
מארז 96-FBGA (7.5x13mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
ממשק POD (Pseudo Open Drain) Parallel
השהיית CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
טווח טמפרטורת פעולה — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר