AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار AS4C512M16D4A-62BIN توسط Alliance Memory و AS4C512M16D4-75BCNTR توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BCNTR
برند Alliance Memory Alliance Memory
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $7.90
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
نرخ داده 3200 Mbps per pin 2666 Mbps per pin
ولتاژ تغذیه 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
دمای کاری -40°C to +95°C —
بسته‌بندی 96-FBGA (7.5x13mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
رابط POD (Pseudo Open Drain) Parallel
تأخیر CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
محدوده دمای کاری — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت