AT45DB041D-SU vs W25M512JVEIQ مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AT45DB041D-SU بواسطة Renesas Electronics و W25M512JVEIQ بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AT45DB041D-SU W25M512JVEIQ
العلامة التجارية Renesas Electronics Winbond
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DataFLASH NOR FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
التنظيم 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) 64M x 8
الواجهة SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI, Dual SPI, Quad SPI
أقصى تردد للساعة 66 MHz —
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum [DATA_NEEDED: Data retention]
Security Register 128 bytes —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
العلبة 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
حجم الذاكرة — 512 Mbit (64 MB)
Max Clock Frequency — 104 MHz
Operating Voltage — 3V / 3.3V
Access Time — 7 ns
Sector Size — 4KB Uniform Sector
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles]
Write Protect — Hardware /WP pin
Hold Pin — /HOLD supported
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر