AT45DB041D-SU vs W25M512JVEIQ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AT45DB041D-SU द्वारा Renesas Electronics और W25M512JVEIQ द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas
AT45DB041D-SU ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AT45DB041D-SU | W25M512JVEIQ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Renesas Electronics | Winbond |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DataFLASH NOR | FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) |
| Memory Format | FLASH | — |
| Density | 4 Mbit (4,325,376 bits) | — |
| संगठन | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) | 64M x 8 |
| इंटरफ़ेस | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 66 MHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V | — |
| SRAM Data Buffers | 2 x 264 bytes | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Endurance | 100,000 program/erase cycles per page | — |
| Data Retention | 20 years minimum | [DATA_NEEDED: Data retention] |
| Security Register | 128 bytes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| पैकेज | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) | 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 512 Mbit (64 MB) |
| Max Clock Frequency | — | 104 MHz |
| Operating Voltage | — | 3V / 3.3V |
| Access Time | — | 7 ns |
| Sector Size | — | 4KB Uniform Sector |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] |
| Write Protect | — | Hardware /WP pin |
| Hold Pin | — | /HOLD supported |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |