AT45DB041E vs AT45DB041D-SU مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AT45DB041E بواسطة Renesas Electronics و AT45DB041D-SU بواسطة Renesas Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | AT45DB041E | AT45DB041D-SU |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Capacity | 4 Mbit (512 KB) | — |
| نوع الذاكرة | Flash - DataFlash (SPI NOR) | DataFLASH NOR |
| الواجهة | SPI Serial (RapidS) | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) |
| أقصى تردد للساعة | 85 MHz | 66 MHz |
| Supply Voltage Range | 1.65 V to 3.6 V | — |
| Page Size | 264 bytes | — |
| Number of Pages | 2048 | — |
| SRAM Data Buffers | 2 x 264 bytes | 2 x 264 bytes |
| Erase Granularity | Page / Block (8 pages) / Sector | — |
| العلبة | 8-SOIC (208 mil) | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Write Protection | Hardware /WP pin + software sector protection | — |
| Access Type | Sequential access (DataFlash architecture) | — |
| Typical Applications | Digital voice, image, program code, data storage | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Memory Format | — | FLASH |
| Density | — | 4 Mbit (4,325,376 bits) |
| التنظيم | — | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) |
| جهد التغذية | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Endurance | — | 100,000 program/erase cycles per page |
| Data Retention | — | 20 years minimum |
| Security Register | — | 128 bytes |
| Lead-Free | — | Yes |