AT45DB041E vs AT45DB041D-SU तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AT45DB041E द्वारा Renesas Electronics और AT45DB041D-SU द्वारा Renesas Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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AT45DB041E AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E ✓ सक्रिय
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AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AT45DB041E AT45DB041D-SU
ब्रांड Renesas Electronics Renesas Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Memory Capacity 4 Mbit (512 KB) —
मेमोरी प्रकार Flash - DataFlash (SPI NOR) DataFLASH NOR
इंटरफ़ेस SPI Serial (RapidS) SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 85 MHz 66 MHz
Supply Voltage Range 1.65 V to 3.6 V —
Page Size 264 bytes —
Number of Pages 2048 —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes 2 x 264 bytes
Erase Granularity Page / Block (8 pages) / Sector —
पैकेज 8-SOIC (208 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Write Protection Hardware /WP pin + software sector protection —
Access Type Sequential access (DataFlash architecture) —
Typical Applications Digital voice, image, program code, data storage —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
संगठन — 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
सप्लाई वोल्टेज — 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

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