AT45DB041E vs AT45DB041D-SU השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של AT45DB041E מאת Renesas Electronics ו AT45DB041D-SU מאת Renesas Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Renesas Electronics
AT45DB041E AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E ✓ פעיל
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר AT45DB041E AT45DB041D-SU
מותג Renesas Electronics Renesas Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Memory Capacity 4 Mbit (512 KB) —
סוג זיכרון Flash - DataFlash (SPI NOR) DataFLASH NOR
ממשק SPI Serial (RapidS) SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
תדר שעון מקסימלי 85 MHz 66 MHz
Supply Voltage Range 1.65 V to 3.6 V —
Page Size 264 bytes —
Number of Pages 2048 —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes 2 x 264 bytes
Erase Granularity Page / Block (8 pages) / Sector —
מארז 8-SOIC (208 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Write Protection Hardware /WP pin + software sector protection —
Access Type Sequential access (DataFlash architecture) —
Typical Applications Digital voice, image, program code, data storage —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
ארגון — 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
מתח אספקה — 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר