BSC014N04LSTATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC014N04LSTATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N04LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C -55C to +175C
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL MSL1 1 (unlimited)
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 5
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر