BSC014N04LSTATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSTATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +175C
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL1 1 (unlimited)
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 5
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin