BSC014N04LSTATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC014N04LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC014N04LSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C -55C to +175C
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 8 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল MSL1 1 (unlimited)
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 5
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট