BSC019N04LSTATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N04LSTATMA1 بواسطة Infineon و BSG0813NDIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC019N04LSTATMA1 BSG0813NDIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Power Block
FET Type — N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Technology Generation — OptiMOS 5
البنية الطوبولوجية — Synchronous buck half-bridge

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر