BSC019N04LSTATMA1 vs BSG0813NDIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC019N04LSTATMA1 tarafından Infineon ve BSG0813NDIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC019N04LSTATMA1 BSG0813NDIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TISON-8 (5.0 x 6.0 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 Power Block
FET Type — N-Channel MOSFET Array (half-bridge / synchronous buck)
Configuration — High-side + Low-side, integrated
Low-Side Continuous Drain Current (ID) — 19 A
High-Side Continuous Drain Current (ID) — 33 A
Power Dissipation (PD) — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
RDS(on) - Low-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) low-side @ VGS]
RDS(on) - High-Side — [DATA_NEEDED: RDS(on) high-side @ VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Technology Generation — OptiMOS 5
Ağ Yapısı — Synchronous buck half-bridge

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin