BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC074N15NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS™ 5 trench |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| العلبة | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Body Diode | — | Integrated |