BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC019N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC074N15NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC019N08NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS™ 5 trench
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
بسته‌بندی PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Body Diode — Integrated

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت