BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC074N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS™ 5 trench |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| پیکیج | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.4 mΩ |
| Body Diode | — | Integrated |