BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC023N08NS5SCATMA1 بواسطة Infineon و BSZ130N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C (junction)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر