BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC023N08NS5SCATMA1 توسط Infineon و BSZ130N03LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
جریان پیوسته درین (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
محدوده دمای کاری — -55 C to +150 C (junction)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت